SK海力士赴美上市的消息引起了市场的广泛关注。由于股价回落，公司下调了美国存托凭证（ADR）的预计募资规模，从45.45万亿韩元（约合人民币1925亿元、290亿美元）降至43.14万亿韩元（约合人民币1911亿元、280亿美元）。此次下调纯粹是由于股价变动所致，并非公司主动压缩融资意愿。
韩国政府也采取了重大行动。韩国总统李在明指示官员迅速推进上周宣布的芯片和人工智能(AI)重大项目，呼吁尽可能缩短环境评估及其他审批流程，以加快项目进度。
根据SK海力士向监管机构提交的文件，公司将基准价格由6月23日收盘价255.5万韩元调整为7月3日收盘价242.5万韩元，导致预计募资规模相应减少约2.31万亿韩元。最终发行价将于周四敲定，预计将于7月10日在纳斯达克挂牌交易。此次发行预计将位列全球史上第二大新股发行，仅次于上月SpaceX创下的纪录。
Baillie Gifford Overseas Limited和Coatue Management管理的基金Situational Awareness Partners LP有意合计购买最多70亿美元的SK海力士ADR。截至7月6日韩股收盘，SK海力士股价跌3.38%，报2343000韩元/股，年内累计涨幅为260.63%。
此次上市的核心逻辑在于估值重估。目前SK海力士以未来12个月预期市盈率6.2倍交易，低于美国同行美光科技的7倍。登陆纳斯达克后，SK海力士有望纳入纳斯达克100指数，触发被动资金的系统性买入，从而推动估值向美国同行靠拢。Thornburg Investment Management投资组合经理Di Zhou表示，此次发行针对的是目前无法进入韩国股票市场的投资者，为AI存储周期中最具吸引力的纯正标的提供了直接、无障碍的敞口。
韩国总统李在明指示官员迅速推进上周宣布的芯片和AI重大项目，警告称若许可审批、土地征收以及确保电力和供水等方面出现延误，可能削弱韩国在先进产业领域占据主导地位的努力。他指出龙仁工业园区从选址确认到破土动工耗时六年，已被视为速度相对较快。SK海力士计划在此建设四座先进晶圆厂，并与50多家材料、零部件和设备企业构建合作园区。首座晶圆厂于2026年3月正式动工，洁净室启用时间计划为2027年2月，工厂预计2027年5月竣工，将生产以高带宽存储器（HBM）为代表的新一代DRAM产品。
李在明要求预先确保电力和供水基础设施，称电力对芯片项目而言将是一个特别重要的问题。尽管可再生能源供应规模持续扩大，但企业仍对基载电力供应能力表示担忧，因此下令官员提前解决这些问题。韩国上周公布了超过5760亿美元的投资计划，其中包括芯片和AI产业，旨在确保其全球主导地位，并鼓励首尔都市区以外的地区实现增长。三星电子和SK海力士将分别投资400万亿韩元在韩国西南部建设新的芯片制造基地，目标是在五年内将DRAM生产能力翻倍。与此同时，韩国计划在2035年前于AI数据中心领域投入逾1000万亿韩元，并将在忠清地区投入81万亿韩元建设芯片封装工厂。
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